【導讀】 2026 年 10 月 29 日，意法半導體正式發(fā)布 MasterGaN7，進一步豐富 MasterGaN 集成氮化鎵功率器件產(chǎn)品陣容。這款 9×9mm QFN 封裝器件，將兩顆 650V、6A GaN 管與高壓柵極驅(qū)動器做半橋集成，引腳和封裝與同系列產(chǎn)品保持兼容，方便工程師直接替換升級。 相比前代產(chǎn)品，MasterGaN7 增加了 LDO 低壓差穩(wěn)壓電路，保證柵極驅(qū)動電壓穩(wěn)定；同時新增引腳關(guān)斷與快速喚醒功能，有效壓低整機空載功耗。器件傳播延遲僅 45ns，最高支持 2MHz 開關(guān)頻率，外圍只需要少量無源器件與小型磁性元件，能夠大幅簡化 PCB 布局、縮減物料成本。器件自帶互鎖、欠壓鎖定、過熱保護，適配反激、LLC、PFC 等多種主流電源拓撲，面向充電器、工業(yè)照明、太陽能微型逆變器等場景。目前產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，配套 EVLMG7 評估板同步上線，可快速開展方案驗證。
品陣容，推出 MasterGaN7_20261029133502_370.jpeg)
MasterGaN7 將兩個 650V GaN 晶體管以半橋方式連接，并與高壓高頻柵極驅(qū)動器集成于 QFN 封裝中；其引腳排列和封裝尺寸與其他 MasterGaN 器件兼容。憑借最新一代 GaN 技術(shù)，MasterGaN7 可實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的能效；同時新增低壓差（LDO）穩(wěn)壓器，以穩(wěn)定柵極驅(qū)動電壓，確保出色的開關(guān)性能。新器件還支持引腳控制關(guān)斷模式，并可實現(xiàn)超快速喚醒，幫助設計人員將空載功耗降至更低。
全新 MasterGaN7 器件兼具 45ns 傳播延遲、超快速喚醒和極短最小導通時間，開關(guān)頻率最高可達 2MHz。完成電路設計只需搭配少量小型外部磁性元件和無源元件，有助于縮小電路板占用空間、降低物料清單（BOM）成本并提升功率密度。此外，器件還集成了為高側(cè)驅(qū)動器供電的自舉二極管。
全系列 MasterGaN 器件支持多種電源拓撲，包括有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器、非對稱半橋轉(zhuǎn)換器、反相降壓轉(zhuǎn)換器、諧振 LLC 轉(zhuǎn)換器、功率因數(shù)校正（PFC）轉(zhuǎn)換器以及直流轉(zhuǎn)交流逆變器。器件集成度高，并內(nèi)置多項保護功能，包括用于防止橋臂直通的互鎖保護、欠壓鎖定（UVLO）和過熱關(guān)斷保護，可幫助縮小系統(tǒng)尺寸、降低物料清單（BOM）成本并簡化電路布局。
MasterGaN7 的工作溫度范圍為 -40°C 至 125°C，現(xiàn)已量產(chǎn)，采用 9mm × 9mm QFN 封裝。
EVLMG7 評估板可幫助設計人員快速完成硬件搭建并啟動開發(fā)，現(xiàn)已在意法半導體 eStore 商城上線。
關(guān)于意法半導體
意法半導體擁有49,000名半導體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商（IDM），意法半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)產(chǎn)品和解決方案，共同構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)，幫助他們更好地應對各種挑戰(zhàn)和新機遇，滿足世界對可持續(xù)發(fā)展的更高需求。意法半導體的技術(shù)讓人們的出行更智能，讓電源和能源管理更高效，讓云連接的自主化設備應用更廣泛。我們正按計劃在所有直接和間接排放（包括范圍1和范圍2）、產(chǎn)品運輸、商務旅行以及員工通勤排放（重點關(guān)注的范圍3）方面實現(xiàn)碳中和，并在2027年底前實現(xiàn)100%使用可再生電力的目標。
結(jié)論
MasterGaN7 是意法半導體針對中高壓高密度電源推出的新一代集成 GaN 方案。LDO 穩(wěn)壓與待機關(guān)斷兩項新功能，補齊了輕載能效短板，更貼合當下快充、光伏逆變設備對低空載功耗的要求。高集成 SiP 方案省去了外置驅(qū)動電路，再加上引腳兼容的設計，老項目可以直接完成器件迭代，不用大幅改動硬件布局。 從產(chǎn)品定位來看，MasterGaN7 覆蓋 45W~500W 功率區(qū)間，兼顧消費類適配器與工業(yè)電源市場。配合現(xiàn)成的評估板，能夠大幅縮短電源方案的開發(fā)周期，幫助整機廠商在提升轉(zhuǎn)換效率的同時，縮小電源體積、控制 BOM 成本，進一步鞏固氮化鎵方案在高密度開關(guān)電源里的應用優(yōu)勢。
