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Arm 架構(gòu)將占據(jù)半數(shù) 2025 年出貨到頭部云服務(wù)提供商的算力
六年多前，Arm 推出面向下一代云基礎(chǔ)設(shè)施的 Arm Neoverse 平臺，并堅信此靈活且高能效的計算平臺所帶來的可擴展性能水平，能夠推動數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)在功能和成本方面實現(xiàn)系統(tǒng)性的變革。
2025-04-10
Neoverse 技術(shù)
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粵港澳大灣區(qū)領(lǐng)航全球電子產(chǎn)業(yè)革新 CITE2025啟幕勾勒AI與低空經(jīng)濟新紀元
2025年4月9日，第十三屆中國電子信息博覽會（CITE2025）在深圳會展中心盛大啟幕。以“科技引領(lǐng) ‘圳’聚創(chuàng)新”為軸心，這場全球電子產(chǎn)業(yè)頂級盛會匯聚超千家科技巨頭與創(chuàng)新先鋒，首次全景式呈現(xiàn)從基礎(chǔ)電子元器件到低空經(jīng)濟萬億級市場的全鏈生態(tài)。AI算力年增230%的爆發(fā)式需求、人形機器人精度突破0.01mm的...
2025-04-10
粵港澳大灣區(qū) CITE2025 AI
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晶閘管選型與應(yīng)用實戰(zhàn)指南：多維參數(shù)平衡與場景化設(shè)計深度解析
在電力電子領(lǐng)域，晶閘管猶如一把掌控電能流向的智能鑰匙，憑借其獨特的單向?qū)ㄌ匦院蛷姶蟮墓β侍幚砟芰Γ诠I(yè)控制、能源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域持續(xù)發(fā)揮著重要作用。隨著電力系統(tǒng)復(fù)雜度的提升，如何科學選型并充分發(fā)揮其性能，已成為工程師必須掌握的核心技能。
2025-04-08
晶閘管 電力電子
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物聯(lián)網(wǎng)邊緣傳感器節(jié)點進化論：從單處理器到多核異構(gòu)的跨越式發(fā)展
嵌入式系統(tǒng)正以越來越快的速度繼續(xù)其技術(shù)演進；我們家庭、車輛和工作場所中的設(shè)備功能正在突飛猛進地發(fā)展。這一進步的一個關(guān)鍵驅(qū)動因素是，即使是最小的電子設(shè)備也能夠連接到我們的現(xiàn)代網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施。Wi-Fi?、藍牙?和其他連接選項使得現(xiàn)場更新和維護變得更加容易，同時增加了人工智能和機器學習算法...
2025-04-08
物聯(lián)網(wǎng) 邊緣傳感器 單處理器 嵌入式系統(tǒng)
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二次整流電路設(shè)計難點解析
在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC)突破50%占空比限制之際，一個被長期忽視的設(shè)計陷阱正在浮現(xiàn)——最小占空比(Dmin)的精細控制已成為決定系統(tǒng)可靠性的生死線。實測數(shù)據(jù)顯示，當Dmin低于15%時，ACFC的開關(guān)損耗會陡增300%，電磁干擾(EMI)惡化達18dBμV。
2025-04-08
二次整流電路
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碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器...
2025-04-08
碳化硅 共源共柵 安森美
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福祿克聲學新品震撼上市
在全球聲學檢測技術(shù)領(lǐng)域，福祿克公司一直以其創(chuàng)新精神和卓越品質(zhì)著稱。近期，福祿克發(fā)布了最新款ii1020C工業(yè)聲學成像儀，在性能、功能和用戶體驗上均實現(xiàn)了顯著提升，旨在為工業(yè)檢測和電力設(shè)備維護提供更為高效和精準的解決方案。
2025-04-08
福祿克
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賦能AI與能源及數(shù)字化轉(zhuǎn)型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展
TDK株式會社4月7日宣布，將于2025年4月15日至17日慕尼黑上海電子展（展位號N1.210），圍繞「為可持續(xù)的未來加速轉(zhuǎn)型」的核心理念，集中展示人工智能技術(shù)應(yīng)用、綠色能源與數(shù)字化轉(zhuǎn)型的前沿創(chuàng)新成果，覆蓋電子應(yīng)用全領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品解決方案，推動各行業(yè)向更智能、更高效、更低碳的未來加速轉(zhuǎn)型。
2025-04-08
AI 能源 數(shù)字化轉(zhuǎn)型 TDK
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第18講：SiC MOSFET的動態(tài)特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設(shè)計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
SiC MOSFET 閾值電壓
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