【導(dǎo)讀】在鐵路牽引、新能源發(fā)電、大功率電力變換等工業(yè)場(chǎng)景中，功率模塊常會(huì)遭遇突發(fā)浪涌電流，對(duì)器件的耐受能力提出嚴(yán)苛要求。東芝近日發(fā)布型號(hào)為 IX800FXF2YMS4 的雙 SiC MOSFET 模塊，搭載第三代碳化硅芯片，額定 3300V、800A。產(chǎn)品明確標(biāo)注二極管 I2t 指標(biāo)，同時(shí)兼顧低導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗，搭配 iXPLV?封裝與銀燒結(jié)工藝，可滿足高溫工況需求，適配鐵路、儲(chǔ)能、工業(yè)電機(jī)控制等大功率電力轉(zhuǎn)換設(shè)備，幫助設(shè)備廠商兼顧效率、體積與運(yùn)行穩(wěn)定性。
中國(guó)上海，2026年9月24日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出面向工業(yè)設(shè)備的雙SiC MOSFET模塊“IX800FXF2YMS4”，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。該模塊適用于鐵路車輛、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)以及電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等應(yīng)用。新模塊搭載東芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET芯片，漏源電壓額定值為3300V，漏極電流（DC）額定值為800A。其規(guī)格參數(shù)中標(biāo)明了二極管部分的I2t極限值，該值是衡量浪涌電流能力的指標(biāo)。
鐵路牽引逆變器和轉(zhuǎn)換器、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)以及工業(yè)電機(jī)控制設(shè)備等工業(yè)設(shè)備制造商，必須不斷滿足更高效率、更小尺寸和更高可靠性的需求。在這些系統(tǒng)中，異常情況下可能流經(jīng)功率半導(dǎo)體模塊的大浪涌電流，功率半導(dǎo)體模塊可能會(huì)承受巨大的浪涌電流，因此必須具備足夠的浪涌電流耐受能力以應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。
IX800FXF2YMS4采用優(yōu)化的SiC芯片設(shè)計(jì)，在異常條件下可實(shí)現(xiàn)300kA2s[1]的I2t特性，該特性是衡量二極管部分浪涌電流能力的指標(biāo)。
該模塊的漏源導(dǎo)通電壓（檢測(cè)）（VDS(on)sense）為1.4V（典型值）[2]，有助于降低導(dǎo)通損耗。其導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗（Eon）為185mJ（典型值）[3]，關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗（Eoff）為175mJ（典型值）[3]，有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。這些特性有助于提升設(shè)備可靠性和效率，并縮小冷卻系統(tǒng)尺寸。
新產(chǎn)品采用iXPLV?封裝[4]，具有出色安裝兼容性。該產(chǎn)品使用銀燒結(jié)接合技術(shù)，提高了SiC芯片接合部位的耐熱性和可靠性，實(shí)現(xiàn)了工業(yè)設(shè)備所需的175°C溝道溫度額定值。
此次新產(chǎn)品的加入，使東芝采用iXPLV?封裝的SiC MOSFET模塊數(shù)量增至四款，進(jìn)一步拓寬了可選產(chǎn)品范圍。
東芝將繼續(xù)擴(kuò)充面向工業(yè)設(shè)備的SiC MOSFET模塊產(chǎn)品陣容，提供更廣泛的產(chǎn)品選擇，以滿足多樣化的設(shè)備規(guī)格和應(yīng)用需求。同時(shí)，公司還將繼續(xù)為提升工業(yè)設(shè)備的可靠性、效率和小型化作出貢獻(xiàn)。
應(yīng)用：
工業(yè)設(shè)備
-鐵路牽引逆變器和轉(zhuǎn)換器
-可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
-電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（固態(tài)變壓器（SST）[5]；不間斷電源（UPS）；儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）等）
-工業(yè)電機(jī)控制設(shè)備等
特性：
-規(guī)定I2t極限值（二極管）額定值：I2t＝300kA2s
-低漏源導(dǎo)通電壓（檢測(cè)）：VDS(on)sense＝1.4V（典型值）
-低開(kāi)關(guān)損耗：Eon＝185mJ（典型值），Eoff＝175mJ（典型值）
-結(jié)溫額定值：Tch＝175°C
-采用iXPLV?封裝。
應(yīng)用電路示例
鐵路牽引系統(tǒng)示例
注：本文檔所示應(yīng)用電路示例僅供參考。用于量產(chǎn)的設(shè)計(jì)必須經(jīng)過(guò)充分評(píng)估。提供該應(yīng)用電路示例并不授予任何工業(yè)產(chǎn)權(quán)許可。
注：
[1]測(cè)試條件：Tch(initial)＝175°C，VGS＝－6V，半正弦波10ms 1脈沖，F(xiàn).R.＝1%
[2]測(cè)試條件：ID＝800A，VGS＝＋20V，Tch＝25°C
[3]測(cè)試條件：VDD＝1800V，ID＝800A，VGS＝＋20V/－6V，Cgs＝100nF，RG(on)＝1.2Ω，RG(off)＝1.2Ω，Tch＝175°C，LS?70nH
[4] iXPLV?：intelligent fleXible Package Low Voltage的縮寫(xiě)
[5] SST：一種利用功率半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)小型化、高效率電壓轉(zhuǎn)換和先進(jìn)功率控制的下一代變壓器。
iXPLV?是東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社的商標(biāo)。
本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。
關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新，為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。
公司17,400名員工遍布世界各地，致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng)，共同開(kāi)拓新市場(chǎng)，期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來(lái)并做出貢獻(xiàn)。
結(jié)論
這款 3300V SiC MOSFET 模塊是東芝工業(yè)碳化硅產(chǎn)品線的重要擴(kuò)充，核心亮點(diǎn)在于明確給出二極管 I2t 極限指標(biāo)，具備優(yōu)異的浪涌電流承受能力，能夠應(yīng)對(duì)工業(yè)電力系統(tǒng)里的異常電流沖擊。器件擁有較低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，配合 175°C 的溝道溫度規(guī)格以及銀燒結(jié)接合技術(shù)，提升高溫工況下的長(zhǎng)期可靠性；標(biāo)準(zhǔn)化 iXPLV?封裝也便于客戶進(jìn)行整機(jī)設(shè)計(jì)與替換。隨著該新品落地，東芝 iXPLV 封裝 SiC 模塊擴(kuò)充至四款，產(chǎn)品選擇更加豐富。后續(xù)東芝將持續(xù)完善 SiC 模塊產(chǎn)品矩陣，面向鐵路、可再生能源、儲(chǔ)能、工業(yè)傳動(dòng)等領(lǐng)域，持續(xù)為設(shè)備小型化、高效率與高可靠運(yùn)行提供功率半導(dǎo)體方案。
